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 钙钛矿镀膜机

应用范围:钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等,可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作,也可用于大批量生产前的试验工作,广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。

上架时间:2020-04-16

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       钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等,可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作,也可用于大批量生产前的试验工作,广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。
  功能特点
  • 样品位于真空室上方,蒸发源位于真空室下方,向上蒸发镀膜,且蒸发源带有挡板装置。
  • 设有烘烤加热功能,可在镀膜过程中加热样品,最高烘烤加热温度为180℃。
  • 设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。
  技术参数
镀膜室 不锈钢材料,采用方形前后开门结构,内带有防污板,腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm
真空排气系统 采用分子泵+机械泵系统
真空度 镀膜室极限真空≤6×10-4Pa
系统漏率 ≤1×10-7Pa
蒸发源 安装在真空室的下底上;有机蒸发源4个、容积5ml,2台蒸发电源,可测温、控温,加热温度400℃,功率0.5KW;无机蒸发源4套、容积5ml,2台蒸发电源,加热电流300A,功率3.2KW;蒸发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启
样品架 安装在真空室的上盖上,可放置Ø120mm的样品、载玻片,旋转速度0-30rpm
加热温度 RT-180℃,测温、控温
膜厚控制仪 石英晶振膜厚控制仪,膜厚测量范围0-999999Å
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